星际金华电子公司为你提供 MJD122T4达林顿晶体管和NUS3046MNT1G N沟道场效应晶体管 原装*** 价格实惠 质量可保证 现货热销 欢迎咨询
MJD122T4达林顿晶体管：
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（***大值） 8A
电压 - 集射极击穿（***大值） 100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（***大值） 4V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（***大值） 10µA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（***小值） 1000 @ 4A，4V
功率 - ***大值 20W
频率 - 跃迁 -
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装 DPAK
NUS3046MNT1G N沟道场效应晶体管 ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 170nC @ 10V
Vgs（***大值） &plu***n;20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 9000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB