关于碳化硅的几个事件
1905年 次在陨石中发现碳化硅。
1907年 只碳化硅晶体发光二极管诞生。
1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长高品质碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。
1958年 在波士顿召开次世界碳化硅会议进行学术交流。
1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年采用"LELY改进技术"的晶粒提纯生长方法。
1987年~至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。
制备SiC制品首先要制备SiC冶炼块[或称:SiC颗粒料，因含有C且超硬，因此SiC颗粒料曾被称为:金刚砂。但要注意:它与天然金刚砂(也称:石榴子石)的成分不同。在工业生产中，碳化硅粉末，SiC冶炼块通常以石英、石油焦等为原料，绿碳化硅，辅助回收料、乏料，碳化硅用途，经过粉磨等工序调配成为配比合理与粒度合适的炉料(为了调节炉料的透气性需要加入适量的木屑，制备绿碳化硅时还要添加适量)经高温制备而成。
高温煅烧后的炉料从外到内分别是:未反应料(在炉中起保温作用)、氧碳化硅羼(半反应料，主要成分是C与SiO。)、粘结物层(是粘结很紧的物料层，主要成分是C、SiO2、40%~60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸盐)、无定形物层(主要成分是70%~90%SiC，而且是立方SiC即β-sic，其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸盐)、二级品SiC层(主要成分是90%~95%SiC，该层已生成六方SiC即口一SiC，湖南碳化硅，但结晶体较小、很脆弱，不能作为磨料)、一级品SiC层(SiC含量lt;96%，而且是六方SiC即口一SiC的粗大结晶体)、炉芯体石墨。
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