PVD技术都有那些分类呢
？PVD真空镀膜机物***相沉积是一种物***相反应生长法，沉积过程是在真空或低气气体放电条件下，涂层物质源是固态物质，经过“蒸发或溅射”后，在零件表面生成与基材性能完全不同的新的固态物质涂层。PVD镀膜与传统的化学电镀的相同点是，两者都属于表面处理的范畴，都是通过一定的方式使一种材料覆盖在另一种材料的表面。那么这两者的不同点是：PVD镀膜膜层与工件表面的结合力更大，膜层的硬度更高，耐磨性和耐腐蚀性更好，膜层的性能也更稳定；PVD镀膜可以镀的膜层的种类更为广泛，可以镀出的各种膜层的颜色也更多更漂亮；PVD镀膜不会产生***或有污染的物质。
在现阶段，PVD镀膜是不能取代化学电镀的，并且除了在不锈钢材料表面可直接进行PVD镀膜外，在很多其他材料（如锌合金、铜、铁等）的工件上进行PVD镀膜前，都需要先对它们进行化学电镀Cr(铬)。PVD镀膜主要应用在一些比较五金制品上，对那些价格较低的五金制品通常也只是进行化学电镀而不做PVD镀膜。
影响离子镀膜层质量的工艺参数
①基片偏压.
离子镀膜基片施加负偏压后；各种离子和高能中性粒子流以较高的能量轰击基片表面．基片负偏压的提高，会使基片表面获得更高的能量，可能形成伪扩散层，提高膜层与基体的附着力，还可以改变膜层的***、结构和性能，如细化晶粒，图2表明，随着基片负偏压的提高，膜层***变细，但是，基片负偏压的提高也会产生一些不利的影响，如反溅射作用的增加，使膜层表面受到刻蚀，使表面光洁程度降低，图3表明了空心阴极离子镀铬时，基片负偏压对铬膜表面光泽度的影响，基片负偏压的提高还会使沉积速率降低，使基片温度升高，图4表明了电弧离子镀tin膜基片负偏压对沉积速率的影响，因此，应根据不同的离子镀方法、不同的膜层及使用要求选择适当的基片负偏压。
②镀膜真空度和反应气体分压.
离子镀膜真空度对膜层***、性能的影响与真空蒸镀时的影响规律相似，但反应气体分压对反应离子镀镀制化合物膜的成分、结构和性能有直接的影响，图5是hcd离子镀tin膜的硬度与氮气分压的关系，因此反应气体的分压应根据离子镀方法，化合物膜层的成分、性质、使用要求以及设备来选择
③基片温度.
离子镀膜基片温度的高低直接影响着膜层的***、结构和性能。一般情况下，温度的升高有利于提高膜层与基片的附着力，有利于改善膜层的***与性能。但是，温度过高，则会使沉积速率降低，有时还会使膜层晶粒粗大，性能变坏；图6中hcd离子镀铬膜显微硬度受基片温度影响的规律。另外，基片温度的选择还要受基片材料性质的限制，如钢材的回火温度等
④蒸发源功率．
蒸发源功率对蒸发速率有直接的影响，进而影响沉积速率，影响膜层的***、性能，对反应沉积化合膜时蒸发源功率也将影响膜层的成分。
为了获得所需性能的膜层，应综合分析、考虑各种因素，迭择镀膜方法和确定合理的镀膜工艺参数。
PACVD硬质涂层真空镀膜机系统的特点：
（1）2个等离子激发源（射频，直/直流脉冲）（2）安装在两边的2闭合场非平衡磁控管溅射（3）带有一个前门的六角形真空室，保证一个洁净的环境（4）干式真空系统设计安装在一个单独的空间，处理高吞吐量的碳氢化合物和其他工艺气体（5）基材和导电与非导电涂层及组合***原位清洗的离子激发系统（6）可选择的等离子体激发模式和频率使等离子的密度和能量适应基材增压特性，以小压强进行电离作用（8）单独的PACVD工艺中不强制转动的时候，一种行星式转动也能够使溅射涂层统一沉积（9）特别是在PACVD过程特殊设计的进气系统能够优化涂层的均匀性和清洁度（10）泵的选择编排和上下的蒸汽压力调节，保证了涂层系统的高可靠性（11）iFIX基础的控制系统，易于批次、配方和报警处理（12）所有数据的采集，保证良好的过程控制。工艺过程中定制曲线图做到良好检查方案。在批次运行过程中，操作者也可更改或新建工艺（13）用户可自行设置进入控制系统的权限，以保证系统的质量和安全性
