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真空镀膜 主要利用辉光放电(glowdischarge)将气(Ar)离子撞击靶材(target)表面，靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好，但是镀膜速度却比蒸镀慢很多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的气离子化，造成靶与气离子间的撞击机率增加，提高溅镀速率。一般金属镀膜大都采用直流溅镀，而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀，基本的原理是在真空中利用辉光放电(glowdischarge)将气(Ar)离子撞击靶材(target)表面，真空纳米镀膜，电浆中的阳离子会加速冲向作为被溅镀材的负电极表面，这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄膜。
ParyleneHT 是苯环上的4个氢原子被氟取代，与C，N，D比较，其薄膜的介电强度高、介电常数低(即透波性能好)，热稳定性好。薄膜本身连续、致密、无，短期耐温可达450摄氏度，广州真空纳米镀膜公司，长期耐温可达350摄氏度，并具有强的抗紫外线能力，更适合作为高频微波器件的防护材料。采用真空气相沉积工艺制备(CVD)的0.1-100微米薄膜涂层，厚度均匀、致密无、透明无应力、不含助剂、不损伤工件、有优异的电绝缘性和防护性，是当代***有效的防潮、防霉、防腐、防盐雾涂层材料。
东莞菱威纳米科技有限公司，是一家从事【parylene派瑞林】纳米镀膜加工和技术服务的公司，***提供【派瑞林】镀膜工程解决方案商，拥有十多年行业经验，跟一支的技术及管理团队。
Parylene N，聚对。将二中的一个氢原子用一个氯原子所取代，就得到Parylene C；将其中两个芳香烃氢原子被氯原子取代，就得到Parylene D；环上的4个氢原子被氟取代，广州真空纳米镀膜工艺，即可得Parylene F；而将二上的H原子替换为F原子，就得到HT型Parylene。
Parylene D，性质与Parylene C相似，但是具有更高的耐热能力。其在较高温度下仍有优良的介电性能和物理机械性能。
Parylene F，其薄膜具有高的介电强度和低的介电常数，广州空纳米镀膜工厂，且热稳定性好，还具备抗紫外能力。薄膜本身连续、致密、无，可以作为各种复杂形状电子器件的保护膜使用。
Parylene HT，该材料具有更低的介电常数、好的稳定性和防水、防霉、防盐雾性能。短期耐温可达450°C，长期耐温可达350°C，并具有强的抗紫外线能力。更适合作为高频微波器件的防护材料。符合ISO-10993生物试验要求，符合UDP第六类塑料的生物试验要求。
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