低压半桥驱动芯片-南京低压半桥驱动-明达微电子有限公司

上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：抗干扰能力强，抗静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，低压半桥驱动芯片，让客户用得满意，用的放心。.

L DO减少了电源设计的总体效率；然而，它使我们能够将效率保持在70%，与全线性解决方案相比，总体性能得以提升，它们的总体效率在10-20%之间。

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LDO的电路原理及特性：

原则上，只要有线性特性的器件都可以，所以BJT和MOSFET都可以，南京低压半桥驱动，但是BJT主要因为它是电流控制型不符合低功耗的要求，而且驱动电流比较大，所以Vin和Vout的差值还是太高，所以现在都采用MOSFET。至于该采用NMOS还是PMOS主要还是取决于压差，通常选用PMOS。因为PMOS的dropout电压是就是饱和压降，大约是200mV，而NMOS由于drop-out电压受到了误差放大器输出电压的限制（误差放大器的输出电压为大只能达到其电源电压，低压半桥驱动怎么样，即LDO的输入电压），所以drop-out电压大小为NMOS的Vgs，所以就没有PMOS的优势了。当然也可以引入charge-pump提高误差放大器的电源电压来解决但是提高了复杂度和成本，但是NMOS调整管的PSRR(电源***比)比PMOS好。

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并行结构的原理是通过牺牲面积来降低功耗。将一个功能模块复1制为n(n≥2)个相同的模块，这些模块并行计算后通过数据选择器选择输出，采用二分频的并行结构。