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参数相互关系
1. 压力与间距：压力越大时，间距也大；因为压力大时，***与网板接触的地方凸出来也多，间距小的话，硅片承受的压力加大，碎片的概率会加大。两个参数当中的一个改变 ， 另外一个不改 ， 就可能加大硅片碎的可能性或影响印刷质量。
2. 印刷速度影响到产能 ， 同时也影响到印刷到硅片浆料的多少。
印刷参数的调整
1. 先把印刷速度改小，以方便在调试时能很好的观察（如印刷速度为 50mm ) 。 完全松***定螺丝，并保证***和回***左右的固定螺丝未锁，能自由活动。
2. 先设定印刷间距：印刷间距以浆料能很好的印刷到硅片为宜，无粘片和虚印。 ( 推荐为： 1.5 0.3)
3. 在间距定下后，设定印刷压力。压力由小到大慢慢加，加到在印刷时浆料能收干净就可以。
参数的调整
4. 在压力和间距设定好后，印刷一片看看印刷是否合格，否则再作微调。（印刷速度未改）
5. 合格后， 慢慢朝下拧锁定螺丝，在感觉到锁定螺丝刚碰到东西时，把锁定螺丝锁住。这个动作相当于找到了一个刮胶下降的一个限位，保证***在压力加大时不会再下压。
6. 然后加快印刷速度，并测印刷重量，如过大，则减速，过小，则加速。（推荐 170mm ) 。
电池片的制作工艺
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烧结
烧结目的
干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。
烧结对电池片的影响
银浆的烧结很重要，对电池片电性能影响主要表现在 串联电阻和并联电阻 ，即 FF 的变化。
铝浆烧结的目的使浆料中的***完全挥发，并形成完好的铝硅合金和铝层。局部的受热不均和散热不均可能会导致起包，严重的会起铝珠。背面场经烧结后形成的铝硅合金，铝在硅中是作为 P 型掺杂，它可以减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高 开路电压和短路电流 ，改善对红外线的响应。
烧结过程
1. 室温 ~300 度，溶剂挥发。
2.300~500度，有机树脂分解排出，需要氧气。
3.400 度以上，玻璃软化。
4.600 度以上，玻璃与减反层反应，实现导电。
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PECVD
PE 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。
基本 原理
PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的***能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。
2. 节省能源，降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
PE 设备有两类：平板式和管式。
按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。
直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。
间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。
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