MOSFET几种典型驱动电路（二）
模拟电路
有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随著MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热***（thermal runaway）。另外，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代。作为大尺寸显示器件，显示刷新率应该在85Hz以上，才能保证稳定的画面(无扫描闪烁感)。
随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本***的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位集成电路上就有很大的竞争优势，在类比集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如类比/数位转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。驱动方式现在通行的有两种：其一是一个恒压源供多个恒流源,每个恒流源单独给每路LED供电。
驱动电路时应考虑哪些因素
近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、不间断电源等各种、低损耗和低噪音的场合得到了广泛的应用。这些功率器件的运行状态直接决定了设备的优劣，而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。比如600V的MOS管多用8-12V的栅极电压驱动，并且要求一定的驱动能力。在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时，应考虑一下几个因素：
（1）要有一定的驱动功率。也就是说，驱动电路能提供足够的电流，在所要求的开通时间和关断时间内对MOSFET和IGBT的输入电容Ciss充电和放电。输入电容Ciss包括栅——源之间的电容CGS和栅——漏之间的电容CGD。 MOSFET和 IGBT的开通和关断实质上是对其输入电容的充放电过程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，栅极电压VGS的上升时间tr和下降时间tf决定输入回路的时间常数，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是输入回路电阻，其中包括驱动电源的内阻Ri。从上式中可以知道驱动电源的内阻越小，驱动速度越快。LED显示屏（LEDdisplay）是一种平板显示器，由一个个小的LED模块面板组成，用来显示文字、图像、视频、录像信号等各种信息的设备。
（2）驱动电路延迟时间要小。开关频率越高，延迟时间要越小。
（3）大功率IGBT在关断时，有时须加反向电压，以防止受到干扰时误开通。
（4）驱动信号有时要求电气隔离。
以PWM DC-DC全桥变换器为例，其同一桥臂的两只开关管的驱动信号S上和S下相差1800，是刚好相反的，即一只开关管开通，另一只开关管要关断，或者同时关断。其中，两只上臂的开关管之间和下臂的开关管必须隔离。对于中小功率的驱动电路，用脉冲变压器的方法实现隔离为简单，而在大功率的应用场合，则要使用集成驱动器驱动。台湾聚积MBI5024,MBI5026,日本东芝TB62726的作用：LED驱动芯片，16位移位锁存器（主要用于室外模组）。
大尺寸驱动Ic
市调机构保守看待驱动IC后市，相关企业看法则显得相对分歧。联咏、敦泰、奇景等认同大尺寸驱动IC市场需求转趋疲弱，对中小尺寸应用，因各家布局产品与拓展商机进度不一，看法同样不同调。
针对大尺寸驱动IC，联咏总经理王守仁日前指出，TV SoC受客户提前备货、第3季预期将处于消化库存阶段，预期业绩微幅弱后。奇景则预估下半年大尺寸面板驱动IC营收逐季减少，毛利率也将因COF价格居高不下，较过去弱后，产品业绩要待现有客户导入的新案以及2020年8K电视发酵，才有望在明年1季***成长。随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。
MLCC驱动Ic需求增加
集微网消息，可以说 2017 一整年 MLCC 一直处于缺货状态，受惠于 MLCC 缺货和涨价的趋势，驱动 IC 厂商矽创推出的 HD 以及 FHD 零电容驱动 IC 方案因相对具有成本优势，法人预估 2018 年的出货量将上涨 30% 以上。此外，法人表示，2018 年下半年随着 FHD TDDI 开始出货，虽然初期对营收贡献较低，但长期来看有利于 ASP 的提升。而在漏区另一侧的P 区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。
瑞泰威驱动IC厂家，是国内IC电子元器件的代理销售企业，***从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，具备上百个型号。