振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，***限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。
中国应用充电电池现况中国应用数多的工业生产充电电池为铅酸蓄电池，铅占电瓶固定成本50%左右，关键选用火法、湿法冶金加工工艺及其固相电解法复原技术性。机壳为塑胶，能够再造，基础保持无污染。
中小型再次充电电池现阶段中国的应用总产量只能上亿只，且大部分容积较小，废旧电池运用使用价值较低，再加应用分散化，绝大多数作城市垃圾处理，其收购存有着成本费和管理工作的难题，再造运用也存有必须的技术性难题。
废旧电池做为生活垃圾处理开展集中处理时，废旧电池中的Hg、Cd、Pb、Zn等金属镉部分在高溫下人空气，部分变成脱硫石膏，造成污染。
振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，回收层压件光伏电池板，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，***限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。
九、崩边、豁口、掉角
充电电池边沿崩边喝豁口
***：其长短≤3mm，深度1≤0.5mm，总数≤2处
B级：其长短≤5mm，深度1≤1.0mm，总数≤3处
四边豁口
***：规格≤1.5*1.5mm，总数≤1处
B级：规格≤2.0*2.0mm，总数≤1处
注：多晶硅***和B级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口，左右豁口都不能过电级(主栅线，副栅线)
超出B级范畴
多晶硅电池片超出了B级范畴，就立即做为缺点片。
多晶电池片超出了B级范畴，如合乎C级需切角片的规定，能作C级需切角片多
经容许边缘有豁口（包含三边形豁口和锐利行豁口），对边缘豁口听规定给出
125任意边缘破损≤18*18mm
150任意边缘破损≤8*8mm
156任意边缘破损≤14*14mm注：多晶电池片超过了C级片的规定，做为缺点片。彻底粉碎，无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。
刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 PN 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体***成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四***而被去除。
化学公式： CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2
工艺流程
预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。
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