当手机处于发射状态下 ， 整个手机是处于手机发射的强电磁场内 ， 因此除 了手机本身的防电磁干扰之外 ， 对于 MIC 也提出了抗电磁干扰的问题 . 通常措施 :
1) 使用金属铝外壳起屏蔽作用 .
2) PCB 设计尽量加大接地面积 ， 如同心圆式 MIC， 或 P 型 MIC.
3) 音孔由一个大孔改为多个小孔 ，
4) 选用抗干扰性能好的器件 ， 如 FET
5) 减少外壳与 PCB 的封边电阻 ， 提高抗干扰能力 .
设计上
1) 采用在 S-D 之间并接电容的办法 ，咪头， 根据频率的不同并接不同的电容 . 通 常对手机使用 10P，33P 两个电容 .
2) 必要时可以在 S-D 之间并一个小的电容 ， 提高抗干扰能力 .
3) 有时也可以利用 RC 滤波器设计 .
5 MIC 在手机上的使用条件应与 MIC 的灵敏度测试条件相一致 ， 其中包 括工作电压 ， 负载电阻 . 另外在以下情况下还要对 MIC 的工作电流进 行限定 ， 例如有的手机给 MIC 的供电电压比较低 ，(1V)，而负载电阻又 比较大 (2.2K)，这是因为
V S =VSD ID *RL I D = (VS - VSD )/ RL
为了保证 MIC 中的 FET 工作在线性工作区 ， 不进入饱和区 ， 应使 V SD
≥ 0.7V 因此 I D =(1V-0.7V )/2.2K=0.136mA 因此在这种情况下 ， 选用的 FET 的电流不能大于 150μA
6 手 机 的 音 频 FTA 五 项 测 试 (Sending Frequency Respe. Sending Distortion SLR Receiving Frequency Respe RLR) 其中有三项与 MIC 有关
SLR 与 MIC 的灵敏度有关 ， 音频放大器有关 ，驻极体咪头， 手机调制特性有关 Sending Frequency Respe 与 MIC 的频响有关 ， 手机的滤波器有关 关 ， 加重特性有关 A/D转换器有关
Sending Distortion 与 MIC 的噪音有关 ，全指向咪头， 放大器的噪声有关 ， 调制噪声 有关 ，A/D转换器有关
6022咪头
型 号：6022
种 类：驻极体咪头
规 格：6.0*2.2（mm）
频 率：20-16000HZ
材 质：进口环保
品 牌：AOSPOW
输出阻抗：2.2K
6022咪头.直径6.0高度2.2有全指向和单指向以及双指向系列一般被应用在对高度有要求，又不希望咪头太小的产品上。例如：平板电脑、智能机器人、车载免提、噪声监测仪、智能冰箱等等。
电容式麦克风的结构主要利用两片导电板及两板之间的绝缘空气层来形成一基本电容构造，此两片导电板通常分别被称为“振膜”( Membrane)与“背板”(Backplate)。理想的振膜为一极柔软的弹性薄膜，受到声压作用时会产生振动，因而产生微距离改变，造成振膜和背板之间的动态微位移，因此使该结构的电容值亦随之改变。
电容式麦克风的结构原理：MEMS麦克风的感测器晶片构造通常是由一层较薄且低应力的复晶矽或氮化矽形成振膜，另以一较厚的复晶矽或是金属层形成具有多孔结构的背板，贴片咪头，共同形成一组以空气作为介电层的微电容器构造。除了必要的MEMS感测器之外，在MEMS麦克风的封装体内通常还须搭配另一颗电路晶片，提供给该MEMS晶片正常操作时需要的稳定偏压、并将讯号经过放大处理后输出，一般泛称为ASIC (Application-Specific IC)。 MEMS 麦克风感测晶片的构造示意图：MEMS麦克风使用的ASIC因产品应用类别不同，区分为类比式和数位式两款。类比式的ASIC其基本架构主要是由“倍压电路”(Charge Pump)、“电压稳定器”(Voltage Regulator)及“放大器”(Amplier)三大功能区块的电路所组成。 倍压电路目的是藉由对输入的电源进行增压处理，以提供MEMS晶片所需之较高操作电压。放大器电路功用在于放大及稳定输入讯号。电压稳定器的功能则是在ASIC电源输入端提供稳压处理，使晶片内部各电路区块皆能正常运作。而数位式ASIC除了同时具备上述三项基本功能区块之外，还增加了所谓“三角积分调变器”(Sigma Delta Modulator)电路，来负责讯号的取样与***杂讯等任务。
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