MOSFET几种典型驱动电路（一）
MOSFET数字电路
数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中快的一种。MOSFET在数字信号处理上的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门基本的成员是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样，在逻辑转换的瞬间同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。模拟电路中电压越高，驱动能力越强，因此大尺寸LCD驱动IC采用高电压制造工艺，通常SourceDriverIC为10~12V，GateDriverIC更高，达40V。
MOSFET在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）信号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的逻辑电路（例如常见的TTL）就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。我们认为，“占空比”纯属一个设计技术的要求，不应该做为LED显示屏产品标准的一项性能指标。
IGBT的驱动电路特点（二）
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。以PWMDC-DC全桥变换器为例，其同一桥臂的两只开关管的驱动信号S上和S下相差1800，是刚好相反的，即一只开关管开通，另一只开关管要关断，或者同时关断。
若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；1、亮度去年年底讨论的行业《标准》中，对于“亮度”这个重要性能没有给出明确的特性要求，这是符合GB／T1．2－2002的。若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
Ied用的驱动电源
LED的供电电源是百直流，为安全可靠和提往往采用恒流供电方式，这个有专门的集成电路，价格也很便宜。度你说的和普通变压器的区别不是没有，但不在抗浪涌方面，而是体积小重量轻价格低。普通变压器输出电压合适完全专可以给LED供电，反倒不容易坏。当然你得经过整流、稳压、恒流控制（或者加串联属电阻）。比如600V的MOS管多用8-12V的栅极电压驱动，并且要求一定的驱动能力。
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