磁电阻/超导复合式磁传感器作为一种新型的高灵敏度磁探测器， 其探测精度目前已接近SQUID器件并已达到fT 量级。同时这类传感器又具有体积小、结构简单、工艺成熟、便于大规模生产等优势，使其在未来发展潜力巨大。就该复合式磁传感器而言，进一步提升器件的探测精度是其未来研究发展的主要方向。
一方面，继续减小超导磁场放大器的狭窄区域宽度至1 μm以下，同时增大磁场放大器的有效面积都可以将磁场放大倍数继续提升至几千甚至上万倍，但是同时会对传感器的工作区间以及小型化造成影响。另一方面，使用灵敏度更高的磁电阻传感器件(TMR、巨磁阻抗器件(GMI)等[35])，将有望使得该复合式传感器的磁场探测精度达到1fT，甚至0.1 fT 的量级。
A1330驱动ic与传统IC比较
A1330器件的双芯片封装版本采用堆叠式封装，虎门港管委会传感器ic，与传统的并排式封装技术相比，电容传感器 ic sop16 封装，A1330器件信道间的一致性更好。在安全性非常关键的应用中，需要对两个芯片的输出进行比较，以确保系统的安全运行，压力传感器ic，这种一致性参数非常重要。A1330的单芯片和双芯片版本均采用扁平型、无铅、8引脚TSSOP封装，引脚框为100％雾锡电镀。
地下位移监测是地质灾害预测、岩土工程项目质量安全评价的重要手段及研究热点。它可以深入岩土体内部进行地下不同深度水平位移、沉降、倾斜方向等地质参数的动态监测，因此能准确检测地下位移形变信息，确定滑移面和变形范围，水压力传感器 ic，进而研究变形机制、成灾现状、发展趋势及防灾预报。
监测上的不可见和复杂性导致地下位移监测技术发展缓慢，存在精度差、成本高、非自动化或难于准确计算地下位移量等问题。本文提出了一种基于新型电磁式地下位移传感器组和GPRS无线网络的地下位移自动测量及远程监控方法，设计了水平型(Ⅰ型)和水平-垂直复合型(Ⅱ型)两款电磁式地下位移传感器。针对这两款传感器进行了地下位移测量方法及相关理论的深入研究工作。综合考虑影响Ⅰ、Ⅱ型传感器传感特性的各种因素及相关参数，提出了三个具有较高计算精度且适合硬件实现的测量理论模型。
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