四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子烛刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯阳氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的烛刻。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。由于化学稳定性极强，CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。
四氟化碳在不同的大气压下呈现的状态是不同的，就像氧气在101kPa时会呈现出液态。四氟化碳是无色、无臭、不燃的可压缩性气体，发挥性较高.在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比)，然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生***氟化物。四氟化碳在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015％（重量比），然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生***氟化物。
四氟化1碳一般认为是惰性低毒物质，在高浓度下是窒息剂，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳与氟1化氢的反应在填有氢1氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。
产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。因为导致臭氧层***的是氟氯烃中的氯原子，它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强，因此分离的可能性比较低。四氟化碳，又称为四氟甲1烷、Freon-14及R 14，是一种卤代烃(化学式:CF4)。它既可以被视为一种卤代烃、卤代甲1烷、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。
