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四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,成都四氟化碳,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因为导致臭氧层***的是氟氯烃中的氯原子,它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强,因此分离的可能性比较低。四氟化碳在900℃时,不与铜、镍、钨、钼反应,仅在碳弧温度下缓慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比),然而与可燃性气体燃烧时,会分解产生***氟化物。


四氟化碳的溶氧性很好,因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功,在275米到366米的深度内,小白鼠仍可安全脱险。四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造,高纯四氟化碳哪家好,以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-H2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。


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