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4.1 ***
从图 5 的印刷原理示意中可以看出，***的作用是将浆料以一定的速度和角度将浆料压入丝网的漏孔中，***在印刷时对丝网保持一定的压力，刃口压强在 10 ～ 15N ／ cm 之间，刮板压力过大容易使丝网发生变形，印刷后的图形与丝网的图形不一致，也加剧***和丝网的磨损，刮板压力过小会在印刷后的丝网上存在残留浆料。
***材料一般为聚胺脂橡胶或氟化橡胶，硬度范围为邵氏 A60° ～ A90° ，刮板条的硬度越低，印刷图形的厚度越大，***材料必须耐磨，刃口有很好的直线性，保持与丝网的全接触；***一般选用菱形***，它具有 4 个刃口，逆变器回收价值，可逐个使用，利用率高。
***速度：***速度是决定效率的大因素，以半自动印刷机为例，印刷所占时间一般为总循环的 2 ／ 3 ；印刷速度的设定由印刷图形和印刷用浆料的黏度决定，速度越高，***带动浆料进入丝网漏孔的时间越短，浆料的填充性会差，出现图 7 所示现象，如果印刷线条精细，速度应低一些，图 4 所示的正银工序中栅线的线宽在 0.1 ～ 0.12nun ，一般速度设定在 200 ～ 250mm ／ s ，图 3 所示的背铝和背银工序因印刷线条宽速度设定在 300mm ／ s ；印刷用浆料因不同工序而不同，相应黏度不同，但总体黏度比较低，所以印刷速度较快；在实际的印刷中速度的恒定同样很重要，如果在印刷过程中速度出现波动，会导致图形厚度的不一致。
电池片的检验
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背电场：
A 级：
背电场完整，厚薄均匀，允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。
新的标准：背电场完整，厚薄均匀，不允许有缺失
B 级：
允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 30% 。
新的标准：允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。
C 级：
允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。
新的标准：缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。
粗点：
A 级：
粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个
新的标准：不允许有粗点
B 级：
粗点宽度≤ 0.25mm ，个数小于 5 个
新的标准：允许有粗点，粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个
C 级：
粗点宽度≤ 0.3mm ，个数小于 8 个
新的标准：当主栅线或副栅线有明显粗细不均时，应用刻度显微镜进行查检。
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PECVD
PE 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。
基本 原理
PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的***能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。
2. 节省能源，降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
PE 设备有两类：平板式和管式。
按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。
直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。
间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。
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