电池片的制作工艺
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影响因素
1. 温度
温度过高，首先就是 IPA不好控制，温度一高， IPA 的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了 PN 结的有效面积，反应加剧 , 还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。
可控程度：调节机器的设置，可以很好的调节温度。
2. 时间
金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。可控程度：调节设备参数，可以调节时间。
3.IPA
1. 协助氢气的释放。 2. 减弱 NaOH 溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯 NaOH 溶液在高温下对原子排列比较稀疏的 100 晶面和比较致密的 111 晶面***比较大，各个晶面被腐蚀而消融， IPA 明显减弱 NaOH 的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。乙醇含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向异性因子又趋于 1 。
可控程度：根据配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。
4.NaOH
形成金字塔绒面。 NaOH浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受 NaOH 浓度影响，碱溶液的腐蚀性随 NaOH 浓度变化比较显著，浓度高的 NaOH 溶液与硅反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积更大。 NaOH 浓度超过一定界限时，各向异性因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。可控程度：与 IPA 类似，控制精度不高。
PECVD
PE 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。
基本 原理
PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的***能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。
2. 节省能源，降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
PE 设备有两类：平板式和管式。
按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。
直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。
间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。
1. 印刷压力的影响
在印刷过程中刮胶要对丝网保持一定的压力，且这个力必须是适当的。印刷压力过大，易使网版、刮胶使用寿命降低，使丝网变形，导致印刷图形失真。印刷压力过小，易使浆料残留在网孔中，造成虚印和粘网。在适当的范围内加大印刷压力，透墨量会减小（浆料湿重减小），栅线高度下降，宽度上升。
2. 印刷速度的影响
印刷速度的设定必须兼顾产量和印刷质量。对印刷质量而言，印刷速度过快，浆料进入网孔的时间就短，对网孔的填充性变差，印刷出的栅线平整性受损，易产生葫芦状栅线。印刷速度上升，栅线线高上升，线宽下降。印刷速度变慢，下墨量增加，湿重上升。
3. 丝网间隙的影响
在其他条件一定的情况下，丝网间隙与湿重大致有如右图的关系：两者几乎呈比例上升，之后丝网间隙加大，湿重降低，后突然变为零。丝网印刷时使用的是曲线的前半段（即呈比例上升段）。由此可知，丝网间隙加大，下墨量多，湿重增大。丝网间隙过大，易使印刷图形失真；过小，容易粘网。 刮胶硬度的影响 刮胶材料一般为聚胺脂或氟化橡胶，硬度 60 -90A 。刮胶硬度越大，印刷的图形越准确，原图的重现性越好。因此，正面栅线的印刷就需要选用硬度较高刮胶。刮胶硬度小，其他参数不变的情况下湿重就大，线高增加，线宽变大。
