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高纯钨或超纯钨(5N或6N)由于具有高电子迁移抗力、高温稳定性以及非常高的电子发射系数,广泛用作半导体大规模集成电路的门电路电极材料、布线材料和屏蔽金属材料。高纯金属钨靶是制造集成电路的基本材料之一,其市场前景与集成电路发展密切相关;若钨靶纯度不高,将造成大规模集成电路的作业可靠性降低,甚至产生泄电现象。采用高纯钨,可减少甚至消除***杂质的影响,提高终端产品的性能 。

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钨的熔点高、硬而脆,加工困难,但只要有合理的工艺,钨可经粉末冶金制坯、挤压、锻造、轧制、旋压和拉拔等加工成材。随着钨的塑性加工程度的提高,其***、抗拉强度和塑性-脆性转变温度大为改善钨合金坯料。

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钨材使用温度高,单纯采用固溶强化方法对提高钨的高温强度效果不大。但在固溶强化的基础上再进行弥散(或沉淀)强化,可大大提高高温强度,以ThO2和沉淀的HfC弥散质点的强化效果好。在 1900℃左右W-Hf-C系和W-ThO2系合金都有着高的高温强度和蠕变强度。钼钨合金含钼和钨两种元素的合金,它包括以钼为基的钼钨合金和以钨为基的钨钼合金系列。该种合金能以任何比例形成,在所有温度下均为完全固溶体合金。

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