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单晶硅片
当今开发设计得更快的这种太阳电池，它的组成和生产工艺流程已定形，商品已普遍用以宇宙空间和路面设备。这类太阳电池以高纯度的单晶硅棒为原材料，纯净度规定99.999%。以便降低成本成本费，如今路面运用的太阳电池等选用太阳能发电级的单晶硅棒，原材料性能参数有一定的放开。有的也可应用集成电路工艺生产加工的头尾料和废次单晶硅原材料，历经复拉做成太阳电池专用型的单晶硅棒。将单晶硅棒切一片，通常片厚约0.3mm。硅片历经成型、研磨抛光、清理等工艺流程，做成待生产加工的原材料硅片。生产加工太阳电池片，先要在硅片上夹杂和外扩散，通常夹杂物为微量分析的硼、磷、锑等。外扩散是在石英管做成的高溫扩散炉中开展。那样就在硅片上产生P/FONTgt;N 结。然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验，即可按所需要的规格组装成太阳电池组件（太阳电池板），用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流，后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计，可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵，亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为 15% 左右，实验室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空间站的还有高达 50% 以上的太阳能电池板。
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一14、漏浆
***： 漏浆单独总面积低于0.5*0.5mm，总数低于3个
B级：跑模单独总面积低于1。0*1.0mm总数不分
C级：跑模单独总面积低于1。0*2。0mm总数不分
缺点/报废片：
超过C级片的规定为缺点片，超过缺点片规定的为报费片。
注：（1）在一切正常包装印刷图型处时，依照“包装印刷图型”要求分辨，没有包装印刷图型处时依照以上要求辨别。
（2）跑模在背静电场或背电级时，依据铝苞要求分辨
（3）跑模在侧边时，假如影象电池片电气性能和外型时，则返修后再次归类检验，随后再次判断，假如不危害电池片电气性能和外型的时候一切正常排出
（4）硅晶掉下来按跑模总面积判断新的规范：与旧的规范同样侧边漏浆片做打磨抛光片解决打磨抛光片处理过程非铝苞片：一概出口（不 Rsh≥6）零头和满包全入出口货位备注名称：DM选用黄标识铝苞片：暂未作自购片待产品研发作部件实验（ Rsh≥6）零头入铝苞零头货位满包入铝苞满包货位备注名称：DM LB选用白标识
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，破损光伏电池板，***偿还，返工，光伏模块回收等。
2. 短路电流
在一定的温度和辐照条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，通常用 I sc 来表示。
将 PN 结短路（ V=0 ），因而 IF=0 ，这时所得的电流为短路电流 Isc ，显然有： I sc = I L ， I sc 与太阳电池的面积大小有关，面积越大， I sc 越大。 I sc 与入射光的辐照度成正比。
3. 功率点
在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点，又称佳工作点。
4. 工作电压
太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 V m 表示
5. 工作电流
太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 I m 表示
6. 转换效率
受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。 η = V m I m / A t
P in 其中 V m 和 I m 分别为大输出功率点的电压和电流， A t 为太阳电池的总面积， P in 为单位面积太阳入射光的功率。
7. 填充因子
太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用 FF 表示： FF = I m V m / I sc V oc
I sc V oc 是太阳电池的极限输出功率， I m V m 是太阳电池的大输出功率，填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。
8. 电流温度系数
在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C ，太阳电池短路电流的变化值，通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池 α = 0.1%/ 0 C 。
9. 电压温度系数
在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C ，太阳电池开路电压的变化值，通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池 β = - 0.38%/ 0 C 。
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