与此同时，DRAM可
制造性的提高已使得大容量DRAM模块的应用迅速增加。甚至在游戏机和便携式摄像机所用的ASIC中都包含了DRAM内核。以东芝为例，其嵌入式DRAM系统常常采用新一代制造技术。随着芯片制造向更细工艺发展，SoC中内嵌DRAM的数量和大小也不断增加。在180纳米工艺下，系统ASIC一般采用两块DRAM，总存储容量可到64Mb左右。而在目前的130和90纳米工艺下，一般系统会采用四块以上DRAM内核，容量为120Mb。
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新能源电机的***测试从新能源汽车电机的发展来看，转速会越来越高，峰值转速会更高，***测试的难度就会加大，按照电机测试标准，***测试方法如下：测试目的：检查电机的安装质量、实验转子各部分承受离型力的机械强度和轴承在***时的机械强度。测试方法：在被测电空载运行的情况下，使用被测电机控制器使电机匀速运行到1.2倍的转速，在此工况下运行不低于2min。或者被测电机不通电，在测功机的拖动下匀速运行到1.2倍的转速，同样在此工况下运行不低于2min。
从制造的角度看，大块和小块存储器的制造难度差不多。不过，在大存储器和小存储器之间的权衡折衷要考虑对性能、芯片面积的一些影响。这些权衡不那么简单，所以如果用户要在使用较少的大块存储器与使用较多的小块存储器之间做选择的话，咨询一下半导体供应商的应用工程师。
甚至在制造之前，大的存储器块必须很好满足后端布局布线的要求。目前在超大块的存储器顶层布线的能力已经使得它们对于布局布线环境来说更加友好了。
公共BIST模块的测试方案也已经变得很友好。如今，用户可以在众多面向嵌入式存储器测试方案中进行选择，有些方案需要晶圆级存储器测试器，而有些非常依赖于BIST结构。针对给定设计选择的测试方案，需要用户和硅片供应商一起详细讨论。
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Ort: ?sterreich
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5 Stück Phoenix Contact INTERBUS IBS 24 BK / LC
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