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WRMSB40M-ASEMI充电软桥
型号：WRMSB40M
品牌：ASEMI
封装：MSB-4
电性参数：4A 1000V
正向电流：4A
反向耐压：1000V
正向压降：1.25V
漏电流：5uA
浪涌电流：110A
芯片材质：快***芯片
工作温度：-55~ 175
特性：快***软桥
ASEMI半导体大陆工厂拥有一支具有高水平研究开发和生产制造实践的人才团队，其中电子、机械、工程管理各类***工程师及管理人才27人，他们将自己研发的20多项专利技术应用于肖特基二极管、桥式整流器和硅晶片生产线中取得良好效果。深圳ASEMI销售团队也蒸蒸日上，产品远销海外。
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快充技术原理-快充方案典型应用电路图
快速充电方案包含两个部分，充电器部分和电源管理部分，电源管理部分的芯片置于移动智能终端内，MSB310快充桥堆，有***的电源管理芯片，也有的直接集成在手机套片中，电源管理芯片对锂电池的整个充电过程实施管理和监控，包含了复杂的处理算法，锂电池充电包括几个阶段：预充阶段、恒流充电阶段，恒压充电阶段、涓流充电阶段，GBP810-快充桥堆，充电管理芯片根据锂电池充电过程的各个阶段的电器特性，向充电器发出指令，通知充电器改变充电电压和电流，而充电器接收到来自充电管理系统的需求，实时调整充电器的输出参数，配合充电管理系统实现快速充电。
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快充电流原理：
AC220V市电经变压器T1，经D1-D4全波整流后，供给充电电路工作。当输出端按正确极性接入设定的被充电瓶后，若整流输出脉动电压的每个半波峰值超过电瓶的输出电压，快充桥堆，则可控硅SCR经Q的集电极电流触发导通，电流经可控硅给电瓶充电。脉动电压接近电瓶电压时，可控硅关断，停止充电。调节R4，可调节晶体管Q的导通电压，一般可将R4由大到小调整到Q导通能触发可控硅(导通)即可。图中发光管D5用作电源指示，而D6用作充电指示。
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