常用的碳化硅磨料有两种不同的晶体，一种是绿碳化硅，含SiC?97%以上，主要用于磨硬质含金工具。另一种是黑碳化硅，有金属光泽，含SiC?95%以上，强度比绿碳化硅大，但硬度较低，主要用于磨铸铁和非金属材料。分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。
纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。
在半导体领域的应用：碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。第三代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。
这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性，未来应用前景十分广阔。碳化硅可用于单晶硅、多晶硅、钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。
碳化硅的使用成本较低，加入碳化硅颗粒可以防止析出碳化物，增加铁素体量，减少白口，使铸铁***致密，显著提高加工性能并使切削面光洁； 特别是熔炼中,增加石墨核心,提高球铁的石墨球数,改善灰铁的石墨形态等等都非常有益； 经过大量的实验总结得出碳化硅在灰铸铁生产中已经成为重要的材料。
一般碳化硅作为孕育剂的时候，碳化硅以碎粒状随着铁水加入到烧包中，可以有效的起到薄壁铸铁件的孕育处理作用。铸铁使用碳化硅加入量很少，对铸铁的化学成分影响甚小，对其显微***的影响却很大，因而能改善灰铸铁的力学性能，对其物理性能也有明显的影响。
