快***桥-FMB40M快***桥-ASEMI(诚信商家)

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软桥和普通整流桥的区别

软桥相比于普通桥堆来讲，快***桥，主要优势有四点：

1、改善低频传导特性

2、降低AC输入线杂散线路电感激励

3、***低频输入电压整流造成的高频波形

4、可减少输入滤波电路中的电管

强元芯电子致力于显示器，适配器，电源，电磁炉，FMB30M快***桥，LCD，通信PC等相关产业技术方案的推广和器件配套业务，并被越来越多的国内外企业所了解和熟识

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快充整流桥相比传统充电器，它有哪些优势？

1、充电。氮化的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。

2、散热快。氮化与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能性小化。

3、体积小。氮化材料本身优异的性能，使得做出来的氮化比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。

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WRMSB40M-ASEMI充电软桥

型号：WRMSB40M

品牌：ASEMI

封装：MSB-4

电性参数：4A 1000V

正向电流：4A

反向耐压：1000V

正向压降：1.25V

漏电流：5uA

浪涌电流：110A

芯片材质：快***芯片

工作温度：-55~ 175

特性：快***软桥

ASEMI半导体大陆工厂拥有一支具有高水平研究开发和生产制造实践的人才团队，ULBFR410快***桥，其中电子、机械、工程管理各类***工程师及管理人才27人，他们将自己研发的20多项专利技术应用于肖特基二极管、桥式整流器和硅晶片生产线中取得良好效果。深圳ASEMI销售团队也蒸蒸日上，产品远销海外。