测井200度模拟开关
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减小导通电阻的影响
多路开关的导通电阻RON（一般为数10Ω至1kΩ左右）比机械开关的接触电阻（一般为mΩ量级）大得多，对自动数据采集的信号传输精度或程控制增益放大的增益影响较明显，而且RON通道随电源电压高低、传输信号的幅度等的变化而变化，因而其影响难以进行后期修正。实践中一般是设法减小RON来降低其影响。以CD4051为例，测试发现[1]：CD4051的RON随电源电压和输入模拟电压的变化而变化。当VDD=5V、VEE=0V时，RON=280Ω，且随V1的变化突变；当VDDgt;10V、VEE=0V时，RON=100Ω，且随V1的变化缓变。可见，模拟开关，适当提高CD4051的VDD有利于减小RON的影响。必须注意：提高VDD的同时，油田150度模拟开关价格，应相应提高选通控制端A、B、C的输入逻辑电平。例如：取VDD=12V(VEE=0V)，可采用电源电压上拉箝位的方法，上拉电阻的阻值取1.5kΩ以上，使选通控制端信号的有效高电平不低于6V。这样，既保证CD4051理想导通（RON小，又实现了CMOS电平与TTL电平的转换（μP一般为TTL电平）。
175度进口模拟开关
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2. 模拟开关输入有严格的输入信号范围
由于模拟开关是半导体器件，当输入信号过低(低于零电势)或者过高(高于电源电压)时，MOSFET处于反向偏置，当电压达到某一值时(超出限值0.3V)，此时开关无法正常工作，严重者甚至损坏。因此模拟开关在应用中，一定要注意输入信号不要超出规定的范围。
3. 注入电荷
应用机械开关我们当然希望Ron越低越好，因为低阻可以降低信号的损耗。然而对于模拟开关而言，低Ron并非适用于所有的应用，较低的Ron需要占据较大的芯片面积，从而产生较大的输入电容，在每个开关周期其充电和放电过程会消耗更多的电流。时间常数t=RC，充电时间取决于负载电阻(R)和电容(C)，一般持续几十纳秒。这说明低Ron具有更长的导通和关断时间。为此，选择模拟开关应该综合权衡Ron和注入电荷。
200度模拟开关
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工作原理开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。常见的可控开关是继电器，当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时，继电器就吸合或释放，其触点接通或断开电路。CMOS模拟开关是一种可控开关，它不象继电器那样可以用在大电流、高电压场合，只适于处理幅度不超过其工作电压、电流较小的模拟或数字信号。
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