华科智源IGBT测试仪制造标准 华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。1~1ms可设定 4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路 。 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） GB 13869-2008 用电安全导则 GB19517-2004 ***电器设备安全技术规范 GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包装储运图示标志 GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件 GB/T 2423 电工电子产品环境试验 GB/T 3797-2005 电气控制设备 GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用 GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则 GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制 GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器 GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
大功率半导体器件为何有老化的问题？
任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及***性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。5雪崩技术条件 1、Vce：50～500V±3%±5V500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9。
为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？
当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。
测试大功率元件应用范例说明？
2011年，我们在深圳地铁运营公司前海车辆段大修车间，进行了实际的展示与操作，厂方提供了许多元件来测试，其中一部份由于损毁严重，在一开始的功能与元件判别过程，即被判出局，而未进入实质的参数量测，也有全新的IGBT，量测结果完全合乎出厂规格.对其测试数据极为满意，解决了特大功率器件因无法测试给机车在使用带来的工作不稳定、器件易烧坏、易等问题。用户能对旧品元件作筛选，留下可用元件，确实掌握设备运转的可靠度。大功率Igbt模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：☆可单机***操作，测试范围达2000V及50A。
