3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7 ICES集射极截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅极漏电流0.01～10μA栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；
7、测量配置
7.1 示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；
7.2 高速电流探头；
7.3 高压差分探头。
8、测试参数应包括
8.1 开通：turn on (tdon ，检修用IGBT测试仪现货供应， tr ， di/dt ， Ipeak ， Eon ， Pon )；
8.2 关断：turn off (tdoff ，河南检修用IGBT测试仪， tf ， Eoff ， Ic ， Poff)；
8.3 反向*** (Irr，Trr，di/dt，Qrr，Erec)；
8.4 栅电荷：采用恒流驱动，检修用IGBT测试仪批发，电流可调范围：0～100mA；
8.5 短路（1200Ａmax）；
8.6 雪崩；
8.7 NTC(模块)测试：0-20KΩ；
8.8 主要测试参数精度偏差 ：< 3 % 。
静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号名称型号单位数量1半导体静态及动态测试系统HUSTEC-2010套11范围本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。
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