对天然菱镁矿的加热得到氧化镁（MgO）,再将其加入到电弧炉中,加热到2800°C以上,会生长出氧化镁（MgO）晶体。主要性能参数 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；抛光：单面或双面；晶向：lt;001gt;±0.5o；晶面定向精度:±0.5°；边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）；斜切晶片：可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片；Ra:≤5A（5μm×5μm）。
氧化镁(MgO)一般情况下是白色粉末，但是氧化镁晶体，离子晶体，氧是典型的非金属，镁是典型的金属，所以形成的氧化镁是离子晶体。由于氧化镁(MgO)单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2"及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。
一种氧化镁晶体粉制备方法,使用高纯氧化镁为原料,采用球磨水化获得浆体,球磨水化的用水量与氧化镁的重量比大于1:2,水化温度在50～100℃之间;球磨水化过程中需要加入表面活性剂.在100～150℃之间对浆体进行干燥,烧结温度1600～1750℃,停留2～30小时;烧结后降温速率为20～100℃每小时,400℃后自然降温烧结后降温。后将所得物料粉粹来获得氧化镁晶体粉。
