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传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。假如制取的Cu/W及Cu/Mo高密度水平不高,则密封性无法得到确保,危害封装特性。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护,应具备以下的要求:①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生;但密度大也使Cu/W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用,因为要获得同样的屏蔽作用,使用的铝厚度需要是Cu/W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu/W及Cu/Mo以外,传统金属封装材料都是单一金属或合金,它们都有某些不足,难以应对现代封装的发展。金属封装外壳CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点:CNC工艺的成本比较高,材料浪费也比较多,当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。
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金属表面发黑处理的方法与流程
金属防腐的保护层法:
将金属产品与外界的腐蚀介质隔离开来,从而达到防止腐蚀的效果。金属防腐的保护层可以通过涂抹、喷涂、电镀、热镀、喷镀等方法形成。
金属防腐的催化处理:
金属催化防腐蚀是利用化学置换发硬,通过渗透加沉积,与工件本身发硬,形成新的合金层,结合力极强在350~400Mpa,不起皮,不脱落,性能非常稳定。
形成新的合金层,结合力极强在350~400Mpa,不起皮,不脱落,性能非常稳定。催化后的产品在高温高压下等极限环境下,仍有较高的防腐、耐磨等特性。
金属表面发黑处理作为比较常用的一种金属表面处理的方法,现有的金属表面发黑处理,由于处理工艺落后,导致处理后膜层光泽差,耐蚀性不够好等缺陷。