铝及铝合金产品因具有特殊的性质，因此应用相当广泛，在五金市场中占有极其重要的地位，铝制品在表面处理中要进行抛光，这不仅使铝制品的外观具有光亮的外表，而且均匀光滑的表面可以分散降低腐蚀介质的吸附，提高抗蚀性能。对于一般要求不很高的产品一般采用化学抛光，这样既能节省劳力又能节省电，但是目前采用的化学抛光液中含有造成对环境的污染，为了化学抛光处理过程对环境造成的污染和对***造成的危害问题，特对传统的化学抛光进行了改良，生产出来了无黄烟化学铝合金抛光光亮剂。
随着环保意识及***的加强，目前越来越多的工厂选择两酸抛光工艺。但是两酸在3C产品生产过程中存在以下问题：1.当抛光液中铝离子浓度超过16g/L时，抛光带有通孔或盲孔的喷砂工件时会产生抛痕，尤其当喷砂工件为Al5252材质的铝合金时抛痕更为明显。2.对经T处理的铝塑复合件抛光时铝塑交界处易出现不均匀，塑料件易发黄。3.铝合金工件在自动抛光线上抛光时在工件转移过程中所需时间通常在18秒以上，铝型材化抛生产线转移所花的时间更长通常在30秒以上，在转移过程中由于抛光液的滴趟会在表面形成不规则的流痕，影响外观效果。
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
化学抛光的优缺点：
1：优点： 操作简便、快速，无需专用仪器。抛光后试样表面无变形层，可抛光经镶嵌后的试样，也可同时抛光试样的纵、横断面。化学抛光时兼有化学侵蚀作用，因此多数情况下能同时显示***，抛光结束之后可以观察***，不需再做侵蚀显示。
2：缺点：抛光液容易失效，溶液消耗快。抛光结果不是太佳，试样的棱角易受蚀损，抛光面易出现微小波纹起伏，高倍观察时受到影响
