刻蚀工艺过程
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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离： 气体由等离子体分离为可化学反应的元素； 扩散： 这些元素扩散并吸附到硅片表面； 表面扩散：到达表面后， 四处移动； 反应： 与硅片表面的膜发生反应； 解吸： 反应的生成物解吸， 离开硅片表面； 排放： 排放出反应腔。
离子束刻蚀机
石英晶体谐振器制作
石英晶体的谐振频率与其厚度有关。用机械研磨和抛光致薄的晶体，可制作低频器件，但频率超过20MHz时， 上述工艺已不适用因为极薄的晶片已不能承受机械应力。采用离子束抛光，可以不受此限制。石英晶体谐振器的金属引线要求重量轻、低电阻，通常用铝沉积在晶体表面沟槽中，以高电导率铝作引线电极。用离子束溅射加工晶体_上的沟槽是有效的方法。
离子束刻蚀
利用低能量平行Ar 离子束对基片表面进行轰击，表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出，从而达到选择刻蚀的目的，它采用纯物理的刻蚀原理。离子束刻蚀是目前所有刻蚀方法中分辨率较高，陡真性较好的方法，它可以对所有材料进行刻蚀，例如：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。
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