三、华科智源IGBT测试仪系统特征： A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广； C：脉冲宽度 50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围>10V F：电脑图形显示界面 G：智能保护被测量器件 H：上位机携带数据库功能 I：MOS IGBT内部二极管压降 J : 一次测试IGBT全部静态参数 K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***） L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。
如何检测元件有老化的现象？ 半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。 何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？1开通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)。 中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。
IGBT动态参数测试系统技术要求
1、设备概述
该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。
2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资料必须准备（正本、副本）各一份，电子版一份；集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。
14）工控机及操作系统
用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：
?机箱：4Μ 15槽上架式机箱；
?支持ATX母板；
?CPΜ：INTEL双核；
?主板：研华SIMB；
?硬盘：1TB；内存4G；
?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；
?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。
?西门子PLC逻辑控制
15）数据采集与处理单元
用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：
?示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求
?电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求
?状态监测：NI数据采集卡
?上位机：基于Labview人机界面
?数据提取：测试数据可存储为Excel文件及其他用户需要的任何数据格式，特别是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递至上位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；?数据处理和状态检测部分内容可扩展
