所述泡沫弹性层包含:至少三种具有不同体积电阻率的导电性橡胶,这三种导电性橡胶的体积电阻率小于约I X ο14 Ω Cm ;至少一种体积电阻率为约IXlO14Qcm或更大的绝缘橡胶；以及至少两种导电性填料。
所述绝缘橡胶为选自由三元乙丙橡胶、硅橡胶和丁基橡胶构成的组中的至少一种橡胶。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。根据本发明的第三方面，所述导电性橡胶和所述绝缘橡胶为氯醚橡胶、丁苯橡胶和三元乙丙橡胶，或者为氯丁橡胶、氯醚橡胶、丁苯橡胶和三元乙丙橡胶。根据本发明的第四方面，所述绝缘橡胶的含量为橡胶成分总量的约30质量％至约40质量％。
在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。至于形成精细分配的色粉颗粒的技术，***近已经开发出直径不超过10nm的色粉和不超过5pm的色粉。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特点。如今开发出来的磁光盘，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58，而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现，低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。
烧结法： ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，然后于1400℃---1600℃烧结。钼(Mo)–在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲,所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，***需求量都很大。
