温度对微弧氧化的影响
微弧氧化与阳极氧化不同，所需温度范围较宽。一般为10—90度。温度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。尽管微弧氧化技术已经在这些方面有些应用，并且呈现新的应用前景，但是推广应用的力度还不够，这里包括技术和经济等多方面原因，有待于我们进一步深入研究。且温度高，会形成水气。一般建议在20—60度。由于微弧氧化以热能形式释放，所以液体温度上升较快，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。所以微弧氧化过程中一定要控制好温度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技术、微弧氧化电源
氧化电压对铝等轻金属微弧氧化效果的影响
1、低压生成的工业铝型材孔径小、孔数多,高压使工业铝型材孔径大,孔数少,但成工业铝型材速度快；
2、电压过低，成工业铝型材速度小，工业铝型材层薄，工业铝型材颜色浅，硬度也低。电压过高，易出现工业铝型材层局部击穿，对工业铝型材层的耐蚀性不利。微弧氧化电源、微弧氧化生产线、微弧氧化工艺、微弧氧化技术
微弧氧化技术原理
将工件（铝、镁、钛、锆及其合金）和不锈钢（或石墨）板置于电解质水溶液中，工件接电源正极，不锈钢（或石墨）板接电源负极，电源接通后工件表面发生阳极钝化生成高阻kang氧化膜，随着氧化膜增厚以及外加电压的不断增加，高电场强度使得氧化膜内部及表面电荷积累变得严重。固体绝缘材料中空间电荷的存在使得原来的电场发生畸变，使局部电场加强，导致氧化膜击穿，产生火花放电。电源要设置恒电压和恒电流控制装置，输出波形视工艺条件可为直流、方波、锯齿波等波形。当氧化膜被击穿后，就会形成基体金属离子和溶液中活性氧离子等物质扩散转移的通道，基体金属离子和氧离子，在电化学、热化学和等离子体化学的共同作用下，生成氧化物陶瓷。
