含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此,研发了含Si的光刻胶,这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料(常被称作Underlayer),其对光是不敏感的。***显影后,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到Underlayer上,在氧等离子体刻蚀条件下,含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer,具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的,例如硅氧烷,,含Si的树脂等
光刻胶的参数
赛米莱德***生产、销售光刻胶,我们为您分析该产品的以下信息。
分辨率
分辨率英文名:resolution。区别硅片表面相邻图形特征的能力,一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
对比度
对比度(Contrast)指光刻胶从***区到非***区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。
敏感度
敏感度(Sensitivity)光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的能量值(或***量)。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏***对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。
粘滞性黏度
粘滞性/黏度(Viscosity)是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重(SG,Specific Gr***ity)是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体,粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位:泊(poise),光刻胶一般用厘泊(cps,厘泊为1%泊)来度量。百分泊即厘泊为粘滞率;运动粘滞率定义为:运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。
粘附性
粘附性(Adherence)表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺(刻蚀、离子注入等)。
抗蚀性
抗蚀性(Anti-etching)光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
表面张力
液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力(Surface Tension),使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
光刻胶相关信息
赛米莱德——***光刻胶供应商,我们为您带来以下信息。
光刻胶是印刷线路板、显示面板、集成电路等电子元器件的上游。光刻胶产业链覆盖范围非常广,上游为基础化工材料行业、精细***行业,中游为光刻胶制备,下游为电子加工厂商、各电子器产品应用终端。由于上游产品直接影响下游企业的产品质量,下业企业对公司产品的质量和供货能力十分重视,常采用认证采购的模式,进入壁垒较高。
在下游半导体、LCD、PCB等行业需求持续扩大的拉动下,光刻胶市场将持续扩大。2018年***光刻胶市场规模为85亿美元,2014-2018年复合增速约5%。据IHS,未来光刻胶复合增速有望维持5%。按照下游应用来看,目前半导体光刻胶占比24.1%,LCD 光刻胶占比26.6%,PCB 光刻胶占比24.5%,其他类光刻胶占比24.8%。
微流控芯片硅片模具加工如何选择光刻胶呢?
一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶,正性光刻胶比负性的精度要高,负胶显影后图形有涨缩,负性胶限制在2~3μm.,而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度,正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率,但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶,在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹,正胶难以企及。