1.1 设备数量 1套 * 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数 * 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 * 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等 * 1.5 软件模块 设备软件部分应包括： 1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能； 2. 图形化操作界面；中/英文操作系统 3.输出EXCEL、wor测试报告 *4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度 *5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格； *6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比；（3）设备的功能特点 1）各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。 2、设备尺寸 2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm 2.2 设备总体宽度 ≤600mm 2.3 设备总体高度 ≤500mm
3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3.2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 VGE(th) 栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA；9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脉冲宽度：40—1000uS可设定 5、测试频率：单次 2。 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；
目的和用途 该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。 1.2 测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon：10W～250kW
3.1开通时间Ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中：Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管） L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 开通时间定义（见下图）：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td （on） ，集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ，则ton= td （on） tr
