而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！3：废钯碳催化剂提钯，首先用物理原理把碳等有机物去除，剩下金属钯，再用化学***溶解金属钯，再进行下一步钯分离。导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。下面我们将分别介绍靶材的主要应用领域，以及这些领域靶材发展的趋势。
平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是***苛刻的。
在***的八个元素中，我们知道，除了白银以外（计价以千克计算），其余都是以克为计算单位，而且需保留小数点后至少二位数，市场价除白银在万元/千克以内，其余少则几万元，多则几十万元每千克，甚至像铑出现过百万元以上每千克的价格，所以***之贵，真是名副其实，毫无。但导电橡胶的导电率是如此之高，以致其不能对色粉充电至较高程度。
***除了在现代工业中被广泛应用外，也是人类社会消费的重要领域，由于其艳丽的永恒的金属光泽，首饰及其装饰物更为人们所津津乐道，其中黄金更兼具******的功能，是抵御通货膨胀的好的选择品种，是社会资本***的重要的领域，也是***者的以少博多的创造财富的重要渠道。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起显著影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
