近两年IGBT测试仪持续火爆，新能源汽车，轨道交通，风力发电等等都需要大量的IGBT模块，所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪，可以测试1200A，5000V以内的IGBT模块，基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了，我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数，对一些检修，维护领域的工作有比较好的帮助，目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪，包括动态测试仪，与国际品牌的设备也可以放在一起竞争了，而且我们不怕竞争，这对我们是一种促进。C：脉冲宽度50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围gt。
3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3.2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 VGE(th) 栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；测量目的：对模块的电压降参数进行检测,可判断模块是否处于正常状态。 200～1000mA±1%±2mA；
参数名称 符号 参数名称 符号
开通延迟时间 td(on) 关断延迟时间 td(off)
上升时间 tr 下降时间 tf
开通时间 ton 关断时间 toff
开通损耗 Eon 关断损耗 Eoff
栅极电荷 Qg
短路电流 ISC / /
可测量的FRD动态参数
反向***电流 IRM 反向***电荷 Qrr
反向***时间 trr 反向***损耗 Erec
3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?高压充电电源：10~1500V连续可调 ?支撑电容：额定电压2kV ?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定 4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脉冲时间：40~100ms可设定
