氧化镁（MgO）是镁的氧化物，一种离子化合物。常温下为一种白色固体。氧化镁以方镁石形式存在于自然界中，是冶镁的原料。氧化镁有高度耐火绝缘性能，经1000℃以上高温灼烧可转变为晶体。主要性能参数 生长方法：弧熔法；晶体结构：立方；晶格常数：a=4.130 A；熔点（℃）：2800；纯度：99.95%；密度（g/cm3）：3.58；硬度：5.5（mohs）；热膨胀系数（/℃）：11.2x10-6；晶体解理面：lt;100gt;；光学透过：gt;90%（200~400nm），gt;98%（500~1000nm）；介电常数：ε= 9.65；热导率（卡／度 厘米 秒）：0.14 300°K。
氧化镁(MgO)单晶基片是高频微波器件高温超导薄膜***常选用的主要衬底材料之一， 也是当前可实现产业化的重要的高温超导薄膜基片。氧化镁晶体属于氧化镁高1端产品中的高1级产品，科技含量高，附加值大。因此高质量氧化镁晶体产品的研制和生产，对开发我国特有的资源优势有着十分重要的意义。氧化镁是一种典型的碱土氧化物,其晶体为岩盐结构,是研究晶体色心性质的重要材料,也是一种重要的光学及光电子学材料。
对天然菱镁矿的加热得到氧化镁（MgO）,再将其加入到电弧炉中,加热到2800°C以上,会生长出氧化镁（MgO）晶体。主要性能参数 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；抛光：单面或双面；晶向：lt;001gt;±0.5o；晶面定向精度:±0.5°；边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）；斜切晶片：可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片；Ra:≤5A（5μm×5μm）。
氧化镁(MgO)晶体属于氧化镁高1端产品中的高1级产品，科技含量高，附加值大。因此高质量氧化镁(MgO)晶体产品的研制和生产，对开发我国特有的资源优势有着十分重要的意义。具有岩盐晶体结构的MgO是一种宽禁带氧化物绝缘体，带隙Eg为7.8 eV。优良的绝缘性、热传导性、热稳定性等特点使得MgO具有十分广泛的应用。氧化镁(MgO)不仅可以作为催化剂、抗1菌剂，还可作为传感材料、电器绝缘材料等，并且可以用作磁隧道结的绝缘层。
