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钨铜电子封装片提供热传导之间的170和220 w / mK的降低热膨胀系数相匹配的半导体二极管制造（5.6-9.0 PPM/℃） 。激光模具通常是建立在GaAs基板使用，如分子束外延或有机金属化学气相沉积过程。后的化学成分可能包括或钢群化錄铟（InGaP) 。近，铟家氮化物（InGaN）激光器已使用一层外延横向杂草丛生的氮化嫁之间的蓝宝石和半导体相匹配的晶格能在蓝宝石基板制造。
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钨铜合金电工材料：主要分为电接触材料和电加工材料。钨铜与铜的复合材料，外部的纯铜又是具有高导电，高热倒系数的材料， 用NDB-T?技术的钨铜与铜的复合材料加工的工件使用寿命长， 在电阻焊接领域得到广泛的应用。
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钨铜材料生产工艺钨金属与铜金属的熔点相差很大，而且钨金属与铜金属的密度也相差很大，且钨铜不互溶，因此钨铜复合材料只能采用粉末冶金方法制备。从提高材料的致密度等性能出发，国内外学者对钨铜材料的制备工艺进行了大量研究，形成了多种烧结方法。
钨铜综合了金属钨和铜的优点，其中钨熔点高（钨熔点为3410℃，铁的熔点1534℃） ，密度大（钨密度为19.34g/cm3，铁的密度为7.8g/cm3) ；铜导电导热性能优越。
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