公司产品包括石英掩膜版，苏打掩膜版，以及菲林版。苏州制版根据客户的构想、草图，定制版图，苏州制版提供高质量掩膜版以及后期的代加工服务！
蚀刻工艺通常称为版
刻蚀（Etch）是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性刻蚀的技术，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。光罩是光刻工艺中的一个重要环节，光刻版必须非常洁净，所有硅片上的电路元件都来自版图。刻蚀分为干法刻蚀和湿法腐蚀。原位芯片目前掌握多种刻蚀工艺，并会根据客户的需求，设计刻蚀效果好且性价比高的刻蚀解决方案。
掩膜板是光刻图形的基准和蓝本，掩膜板上:的任何缺陷都会对终图形精度产生严重的影响。所以掩膜板必须保持“完关”。
使用掩膜板存在许多损伤来源:掩膜板掉铬:表面擦伤，需要轻拿轻放:静电放电(ESD)，在掩膜板夹子.上需要连一根导线到金属桌面，将产生的静电导出。如需要烤版，烤版时要注意：①首先要选好烤版胶，烤版胶不能太脏。另外，不能用手触摸掩膜板:灰尘颗粒，在掩膜板盒打开的情况下，不准进出掩膜板室(Mask Room)，在存取掩膜板时室内保持2人。
光刻掩膜版（又称光罩，英文为Mask Reticle），简称掩膜版，是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过***过程将图形信息转移到产品基片上。
1） 绘制生成设备可以识别的掩膜版版图文件（GDS格式）2） 使用无掩模光刻机读取版图文件，对带胶的空白掩膜版进行非接触式***（***波长405nm），照射掩膜版上所需图形区域，使该区域的光刻胶（通常为正胶）发生光化学反应3） 经过显影、定影后，***区域的光刻胶溶解脱落，暴露出下面的铬层4） 使用铬刻蚀液进行湿法刻蚀，将暴露出的铬层刻蚀掉形成透光区域，而受光刻胶保护的铬层不会被刻蚀，形成不透光区域。建议预置时间为12小时，预置时必须打开胶片的内包装，使其与外界的空气充分接触。这样便在掩膜版上形成透光率不同的平面图形结构。5） 在有必要的情况下，使用湿法或干法方式去除掩膜版上的光刻胶层，并对掩膜版进行清洗。
石英岩的原岩可以是：单矿物石英砂岩，含泥质、钙质石英砂岩，胶体沉积的硅质岩（包括陆源碎屑溶解再沉积的硅质岩和与火山喷气有关的硅质岩）和深海虫硅质岩等。不同原岩形成的石英岩，可根据结构、变晶程度、副产物、岩石共生组合及产状等加以区分。
