双向可控硅的检测用万用表
双向可控硅的检测
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其间两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为榜首阳极A1和操控极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为榜首阳极A1，红表笔所接引脚为操控极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接榜首阳极A1，此刻万用表指针不该发作偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应坚持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接榜首阳极A1。同样万用表指针应不发作偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，坚持在10欧姆左右。
符合以上规律，阐明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
判断可控硅模块是否完好也并不难
可控硅模块有好有坏，作为电路中比较重要的一个基础元件，其好坏与合适与否都直接关系到设备的运行质量。所以，在选购可控硅模块时也需要慎重，要学会判断可控硅模块好坏，以便于选出满足实际需求的产品。
其实，判断可控硅模块是否完好也并不难，需要从四个方面来进行检查和判断：首先是判断该元件的三个PN结是否完好；其次就是在阴极与阳极之间电压反向连接时能够阻断不导通；紧接着就是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四就是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉后仍处于导通状态。
可控硅模块温度保护显得尤为必要
可控硅与其他设备一样，在实际使用时会因为自身功耗出现发热的现象，在这种情况下，如果不采取适当措施将热量散热出去，就会引起模块管芯PN结温度急剧上升，使得器件特性恶化，导致完全损坏。所以，可控硅模块温度保护显得尤为必要。
一般来说，可控硅模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成，在工频或者400Hz以下频率的应用中主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作，设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要，千万不可大意！散热器的常用散热方式有：自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是：控制模块中管芯的结温不超过产品数据表给定的额定结温。
可控硅模块的防护措施:过电压保护
可控硅模块的防护措施：
过电压保护。
过电压可能会导致可控硅模块击穿，主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或者可控硅在导通与截止间的转换，对过电压保护可采取以下两种保护措施：
1、阻容保护。
阻容保护是电阻和电容串联后，接在可控硅电路中的一种过电压保护方式，其实质就是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使得耗能元件的特性，将过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻将这部分能量消耗掉。
2、硒堆保护。
可以说，可控硅模块在弱点面前，还是比较容易损坏的，用户一定要注意做好以上保护措施。
