电池片的制作工艺
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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 PN 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体***成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物***而被去除。
化学公式： CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2
工艺流程
预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。
电池片各工序影响因素及异常情况
电池片各工艺流程危害要素及异常现象
4.NaOH产生金字塔式绒面。NaOH浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受NaOH浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随NaOH浓度值转变比较显著，浓度值高的NaOH水溶液与硅体现的速率加速，再反映过段时间后，金字塔式容积更大。NaOH浓度值超出必须界线时，各向异性系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与IPA相近，线性度不高。
5.Na2SiO3SI和NaOH反映生产制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有缓冲剂的***，使反映不会很强烈,变的轻缓。Na2SiO3使反映拥有大量的起始点，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿Na2SiO3多的那时候要立即的排出去，Na2SiO3传热性差，会危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法操纵。4酸洗钝化HCL除去硅片表层的金属材料残渣***具备酸和络合剂的双向***，***盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化HF除去硅片表层空气氧化层，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。
基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。操纵范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。
操纵范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，黑斑，裂痕，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。
电池片丝网印刷技术
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4.3
浆料
浆料是由作用组份、粘接组份和有机化学质粒载体构成的一种流体力学，浆料有导体浆料、电阻器浆料、物质浆料和包管浆料等。在背银，背铝及正银工艺流程中常用浆料为导体浆料。在导体浆料中，作用组份一般为***或***的化合物。质粒载体是高聚物在有机化学
***
中的水溶液。作用组份决策了破乳后的电气性能物理性能。质粒载体决策了厚膜的加工工艺特性，是印刷膜和干躁膜的临时性粘接剂。作用组份和粘接组份一般为粉状，在质粒载体中开展充足拌和和分散化后产生膏状的厚膜浆料。煅烧后的厚膜导体是由金属材料与粘接组份构成。
浆料的技术性性能参数就是指浆料中作用成份（背银浆料中的银铝成份、正银浆料中的银成份，背浆料中的铝成份）历经风干和煅烧后与电池片的欧母特性，其危害电池片的电性能参数如开路电压，短路容量，并联电阻，串连电阻器，转化率等性能指标；浆料的加工工艺特性是做到所述指标值的确保，各浆料制造生产商对于
3
种印刷工艺流程有强烈推荐的加工工艺主要参数如浆料的粒度分布、粘度，固态物含量，金属丝网的筛网目数；前边提及网格图的孔长为浆料粉体设备粒度的
2.5
～
5
倍；浆料的黏度危害***条的印刷速率；固态物含量决策印刷后的湿薄厚经风干和煅烧后的后薄厚。背铝及正银三工艺流程的浆料不一样，从而决策她们在金属丝网和印刷主要参数各不相同，表
2
为英国
FERRO
企业的常有有关工艺流程的印刷浆料的特性。 