华科智源IGBT测试仪制造标准 华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） GB 13869-2008 用电安全导则 GB19517-2004 ***电器设备安全技术规范 GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包装储运图示标志 GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件 GB/T 2423 电工电子产品环境试验 GB/T 3797-2005 电气控制设备 GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用 GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则 GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制 GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器 GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
5、***负载
5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；
5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；
外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。
6、标准的双控制极驱动
6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；
6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge ： 15V；
6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；
6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；
6.5 电压开关时间： < 50ns；
6.6 输出内阻： < 0.5Ω；
3.3主要技术要求
3.3.1 动态参数测试单元技术要求
3.3.1.1 环境条件
1)海拔高度：海拔不超过1000m；
2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；
3)工作环境温度： -5℃～40℃；
4)湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；
5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；
6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求 1）阈值电压测试电路 阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路） ?满足表格9测试参数要求 ?低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路) ?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路 集射极截止电压/发射极截止电流测试电路 ?高压充电电源：10~2kV连续可调 ?负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通。支撑电容：额定电压2kV ?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V
