光子型探测器
光子型探测器（ photon detector） 利用外光电效应或内光电效应制成的辐射探测器，也称光电型探测器。探测器中的电子直接吸收光子的能量，使运动状态发生变化而产生电信号，常用于探测红外辐射和可见光。利用内光电效应制成的光子型探测器，是用半导体材料制成的固态电子器件，主要包括光电导探测器和光伏型探测器等。基于PCI总线技术的多功能高速数据采集卡的单光子探测数据采集作为量子信息处理中的一个重要环节,可以将探测器探测到的光子信号更直观更便捷的实时显示出来,并通过软件实现对数据的进一步处理和存储等工作。
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光电探测器的历史发展
1873年，英国发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硒化镉光敏电阻和红外波段光电探测器都已投入使用。60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。调节x值，可将探测器的峰值响应波长选择在1～30微米之间任何一个波长上,其中x=0。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。
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单光子
产品是基于 雪崩二极管对弱光信号有极强的灵敏响应原理， 将探测到的光子信号通过雪崩二极管的光 电转换变成光电子信号， 经由前置放大器变成电压信号，再由模拟放大器，模拟数字转换 器A/D 然后终将光子信号变成TTL 电平输出以达到记录和检测光子数或者弱光能量的目的的探 测装置。扫积型探测器的偏置电压要足够大，使载流子在漂移过程中来不及复合，也来不及扩散。
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