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特种气体在蚀刻中的应用

蚀刻是采用化学和物理方法，有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的目的是在涂胶的硅片上正确地复1制掩膜图形。刻蚀分为湿法蚀刻和干法蚀刻。湿法蚀刻是利用液态化学***或溶液通过化学反应进行蚀刻。干法蚀刻利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基与材料发生化学反应，特种气体价格，或通过轰击等物理作用而达到蚀刻的目的。其主要介质是气体。干法蚀刻的优点是各向异性(即垂直方向蚀刻速率远大于横向速率)明显、特征尺寸控制良好、***使用和处理费用低、蚀刻速率高、均匀性好、良率高等。常用的干法刻蚀是等离子体蚀刻。

硅片的蚀刻气体（特种气体）主要是氟基气体，包括四氟化碳、四氟化碳/氧气、六氟化硫、六氟乙1烷/氧气、三氟化氮等。但由于其各向同性，特种气体供应商，选择性较差，因此改进后的蚀刻气体通常包括氯基(Cl2)和xiu基(Br2、HBr)气体。反应后的生成物包括四氟化1硅、四氯硅1烷和SiBr4。铝和金属复合层的蚀刻通常采用氯基气体，如CCl4、Cl2、BCl3等。产物主要包括AlCl3等

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