供应仙童FDP085N10A_F102全新现货
特点
•***(ON)=7.35mΩ(典型值)@ VGS = 10V,ID = 96A
•快速开关速度
•低门电荷
•极低的高性能沟槽技术
***(上)
•高功率和电流处理能力
•符合RoHS标准
图片:
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体
安森美半导体***的PowerTrench进程,已
特别定制,以尽量减少通态电阻,但
保持出色的开关性能。
应用
•直流到直流转换器
•同步整流电信电源
•电池充电器
•交流电机驱动器和不间断电源
•非在线式UPS