供应仙童FDS86252全新现货
特点
***大***(ON)= 55MΩ在VGS= 10V,ID=4.5
***大***(ON)=80MΩ在VGS=3.6 V,ID=3.7
高性能沟槽技术非常低的***(ON)
高功率和电流处理能力,一种广泛使用的表面贴装封装
100%UIL的测试
符合RoHS规范
图片:
概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的***功率沟槽®过程中,
已特别针对减少的通态电阻和尚未maintaiin出色的开关性能。
应用
DC- DC转换