供应仙童FDMS3615S全新现货
特点
问题1：N沟道
***大***（ON）= 5.8MΩ在VGS = 10V，ID = 16
***大***（ON）= 8.3MΩ在VGS = 4.5V，ID = 13
问题2：N沟道
***大***（ON）= 3.4MΩ在VGS = 10V，ID = 18
***大***（ON）= 4.6MΩ在VGS = 4.5V，编号= 15 A
低电感封装缩短上升/下降时间，更低的开关损耗
MOSFET的集成，使***佳的布局，降低线路电感和减少开关节点的振铃
符合RoHS规范
图片：
概述
该器件包括两个专门在双PQFN封装的N沟道MOSFET。
开关节点已在内部连接，方便放置和同步***转换器的路由。
控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET（第二季）已设计提供***佳的电源效率。
应用
计算
通讯
通用负载点
笔记本的VCORE