供应仙童FDMA0104全新现货
特点
***大***（ON）=14.5MΩ在VGS= 4.5V，编号=9.4
***大***（ON）=18.2MΩ在VGS= 2.5V，编号=8.3
***大***（ON）=23.3MΩ在VGS=1.8V，ID=7.3
***大***（ON）=32.3MΩ在VGS =1.5 V，编号=6.2
超薄0.8毫米的***大的新封装的MicroFET
的2x2毫米
符合RoHS规范
图片：
概述
这种单一的N沟道MOSFET的设计采用了
飞兆半导体***的功率沟槽®过程
优化特殊的MicroFET的***（ON）@ VGS =1.5 V
引线框架。
应用
锂离子电池
的DC - DC***转换器