供应仙童FDT86113LZ全新现货
图片：
特点
***大***（ON）=100米，在VGS= 10V，ID=3.3
***大***（ON）=145米，在VGS =4.5 V，编号=2.7 A
高性能沟槽技术非常低的***（ON）
一种广泛使用的高功率和电流处理能力
表面贴装封装
HBM ESD保护水平> 3 KV典型（注4）
100％UIL的测试
符合RoHS标准
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET生产使用
飞兆半导体鈥荣***的功率沟槽庐过程
已特别定制，以尽量减少通态电阻
同时保持出色的开关性能。 G - 小号齐纳
已被添加到提高ESD电压水平。
应用
直流 - 直流开关