烧结法： ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，***需求量都很大。
磁控溅射靶材种类：金属溅射镀膜靶材，合金溅射镀膜靶材，陶瓷溅射镀膜靶材，硼化物陶瓷溅射靶材，银蒸发镀靶材，碳化物陶瓷溅射靶材，氟化物陶瓷溅射靶材，氮化物陶瓷溅射靶材，氧化物陶瓷靶材，银蒸发镀靶材加工，硒化物陶瓷溅射靶材，硅化物陶瓷溅射靶材，硫化物陶瓷溅射靶材，碲化物陶瓷溅射靶材，其他陶瓷靶材，掺铬一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化铟靶材（InP），铅靶材（PbAs），铟靶材（InAs）。
超纯金属的检测方法极为困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级（10克/克）、毫微克级（10克/克）、微微克级（10克/克）杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，原子吸收光谱分析，银蒸发镀靶材厂家，荧光分光光度分析，质谱分析，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起显著影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
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