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摘要 : 低压降肖特基二极管型号命名规格 是怎么样的呢？作为行业老大哥，台湾ASEMI低压降肖特基二极管老工程师为您揭秘其中的缘由

ASEMI品牌二代低压降肖特基二极行业命名规则

低压降肖特基二极管型号命名方式有什么规格呢？作为新兴发展起来的低压降肖特基二极管深受瞩目，但目前尚属前沿技术，行业内成熟掌握技术并成品上市销售的品牌并不多见。由于不同品牌商的方式各有不同，我们就以低压降肖特基二极管行业老大哥ASEMI品牌为例为大家解析:第二代低压降肖特基二极管由SB VCT与SB VFCT来定义，尾椎CT与FCT的意思表示为铁头封装与全塑封装区别。结合电性参数的嵌入数字前两位表示电流值，后两位或三位表示耐压值，那么完整型号就比如SB2045VCT或者SB10100VFCT，分别为20A45V铁头220封装与10A100全塑220封装。

ASEMI低压降肖特基二极管终合实力行业佼佼者

目前低压降肖特基二极管行业发展还处于发展阶段，蓝海一片，有竞争力的大公司不多，也就是如PEC，ST，ASEMI，Fairchild等少数几个国际品牌掌握了核心技术。其中以台湾ASEMI品牌为行业代表，掌握了低压降肖特基二极管各系列型号从芯片性能、电性参数、生产工艺、封装检测等等环节核心技术，成熟产品已经批量生产上市。随着未来政策的利好导向，行业后续竞争度会很激烈，但未来肖特基行业肯定是向着低压降趋势，ASEMI低压降肖特基二极管也将***行业发展。

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摘要 : MBR2045CT，ASEMI肖特基二极管，那些你应该知道的事儿！

首先我们先来认识一下MBR2045CT这一款产品

台湾ASEMI品牌肖特基二极管MBR2045CT，它的芯片是采用102MIL的大芯片，电流20A，耐压：45V；正向电压为0.58V，正向电流（Io）为20A，FR207足耐压，反向电压为45V，它的浪涌电流If***为120A，漏电流（Ir）为5uA，盒装：1000Pcs/盒主要应用于小电流领域产品：

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肖特基二极管MBR2045CT材料，工艺。

【台湾ASEMI肖特基二极管有什么特点】ASEMI肖特基二极管全部进口***技术的芯片材料，从根本上保证产品的***性能，足耐压，内置芯片全部是耐高抗冲击的技术要求，确保开机瞬间的大电流与电路电压叠加等因素影响时依然能很效率的正常工作。超

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摘要 : ASEMI工程师各方位解析肖特基 MBR60200PT，我们将逐一对MBR60200PT的各项参数进行细致讲解，让你真正的了解它的作用与性能，S5MB足耐压，在电路设计时更好的选择。

下图所示为ASEMI肖特基MBR60200PT的外观，本节我们以它为列，通过讲解其各项参数，会让你对整个肖特基产品系列有一个更深入的了解，为了更直观方便的说明，我们以

MBR60200PT的规格书为模板进行解说：

下图截取的就是肖特基MBR60200PT参数页面文档，我们会自上而下逐条讲解每个参数所代

表的意义及作用

Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重复峰值电压

从字面的意思当中我们可以知道它所代表的是肖特基二极管的反向耐压，它的意义在于肖特基反向可以承受的电压，在这个数值范围内，肖特基二极管是安全的。

***erage Rectified Forward Current ——平均整流正向电流

这项参数所表示的是肖特基二极管的正向可通过电流，并且是电流，同样，在这个电流范围内，肖特基二极管也是不会损坏的。

Typical Thermal Resistance (per leg)——典型热阻（每条腿)

这个参数所代表的是引脚铜材本身的一个系数，热阻系数，反映是它的散热性能，它的意义在于散热性能越好，产品越稳定。

Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌电流

浪涌电流指电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流。由于输入滤波电容迅速充电，所以该峰值电流远远大于稳态输入电流，浪涌电流持续的时间非常短，在微秒级别，与正向整流电流在区别在于，正向整流指的是二极管持续工作可承受的电流，而浪涌电流它的意义在于体现二极管的正向抗冲击能力上。

Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重复浪涌电流

这项参数与正向峰值浪涌电流很相似，不同的是它指的是反向浪涌，是二极管反向抗冲击能力的体现。

Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——电压变化率（额定VR）

这个参数指的是二极管可以在某一个时间段内可以承受电压变化的能力，这个数值越大，表示它承受电压变化的能力越强，它的意义在于体现二极管的稳定性，可以理解为数值越大，性能越稳定。

Operating Junction Temperature—— 工作温度

Storage Temperature ——储存温度

关于温度的这两项，我们之所以放在***后一起解释，因为关于温度的这两个参数很好理解，它所代表的仅仅是肖特基存储温度和正常工作的温升值。

IR 表示的参数是肖特基二极管的反向泄漏电流，理论上或者是理想状态下，我们认为二极管是正向导通，反向截止的，但实际上，肖特基二极管反向也是有电流通过的，只不过与正向可通过的电流相比，这个数值很小，很多时候可以忽略，我们可以这样去理解，如果反向的泄漏电流可以变大，增大到与正向电流相同的程度，那么***后这个二极管相当于变成了一根导线，完全失去了单向导通的能力，并且反向漏电不为整个电路提供任何电能，本身也是一种损耗，这种损耗并不是我们所希望的，所以在实际的工业应用当中，反向泄漏电流的数值越小越好。

VF 这个参数指的是二极管的正向饱和压降，不论是导体还是半导体，本身都有电阻，当其中有电流通过时，必然会有电压产生，这个电压我们称作它压降，而饱和压降指的是在二极管通过正向电流所产生的压降，而压降的产生必然会损耗电路当中电能，这个不是我们想要的，并且二极管属于半导体，其本身电阻非常大，所以压降是体现二极管本身耗能的一个指标，这个数值越小，表示电流通过时在二极管上的损耗也越小。